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最近,年输绿色(~525nm)、深红(650-680nm)和近红外(~800nm) PeLED已经实现了20%以上的外量子效率(EQE)。(a)初始NCs、配电中间相NWs和自组装NWs的XRD图谱、(b)FTIR光谱和(c)高分辨率XPS光谱。
然而,价和红光发射(620~650nm)PeLEDs通常是通过由溴和碘阴离子混合钙钛矿实现的,价和混合卤素产生的缺陷位点会加快离子迁移速度,增加非辐射损失,导致器件运行时相分离,影响了它们的实际应用。销售【图片导读】图1.晶体的结构表征。公布(c)自组装的NWs薄膜的PL和PeLED器件的EL。
【引言】金属卤化物钙钛矿发光二极管(PeLEDs)由于其高亮度、云南宽色域、窄带发射和高性价比制造成本等优点,在高清显示技术领域而引起了广泛关注。这个工作设计了一种新型的、年输基于非极性溶剂的配体辅助室温合成,开发出一种规模化自组装CsPbI3一维纳米线的制备方法
灯饰行业本身就是一个设计含量比较高的行业,配电比较成熟的品牌对设计都有自己的理解。
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公布这些数据为通过掺入N-甲基开发高性能PBII提供了有用的指导。3D打印的PI表现出出色的形状记忆性能,云南Rf为99.8%,Rr为98.3%,因此成功制备了4D打印PI。
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